[发明专利]一种掺杂稀土元素的光伏薄膜材料有效
| 申请号： | 201310047954.3 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103137720A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘盼;周文平;班士良 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 010021 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺稀土元素的光伏薄膜材料，以稀土元素和光伏薄膜材料进行掺杂，获得掺稀土元素的光伏薄膜材料，所述光伏材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、多元化合物、有机聚合物中的一种，本发明制备的光伏薄膜材料具有磁学和半导体性质，成本低，光电转化率高，可以用于太阳能电池等众多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 稀土元素 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种掺稀土元素的光伏薄膜材料，其特征在于，以稀土元素和光伏薄膜材料进行掺杂，获得掺稀土元素的光伏薄膜材料，所述光伏材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、多元化合物、有机聚合物中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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