[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310048456.0 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103258784A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 麦克·施特格曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;张云肖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例，形成半导体器件的方法包括在电介质层上形成种子层以及在种子层上形成图案化抗蚀剂层。然后，在种子层的未被图案化抗蚀剂层覆盖的区域上形成金属线。利用等离子处理移除图案化抗蚀剂层，等离子处理包括在等离子体内使用氧化物质和还原物质。在等离子处理期间，还原物质主要防止金属线和种子层的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成设置在具有顶部表面的衬底上的种子层；在所述种子层上形成图案化抗蚀剂层；在所述种子层的未被所述图案化抗蚀剂层覆盖的区域上形成金属线；以及利用包括氧化物质和还原物质的等离子处理移除所述图案化抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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