[发明专利]终点侦测方法及化学机械抛光系统的抛光方法有效
| 申请号： | 201310048694.1 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103978421B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 熊世伟;陈枫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/013 | 分类号： | B24B37/013;B24B37/015 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械抛光终点侦测装置及方法，该终点侦测装置至少包括用于探测晶圆研磨表面温度变化的红外探测器，其中，所述晶圆至少包括基底层和位于基底层上的待抛光层，所述待抛光层与基底层具有不同的导热系数；与所述红外探测器电连接的数据处理分析系统，处理分析红外探测器输出温度的变化，获得一温度梯度随时间变化的曲线，根据该曲线判断晶圆抛光终点。本发明提供的化学机械抛光终点侦测装置通过数据处理分析系统处理红外探测器输出的温度信息后，获得晶圆抛光表面的温度梯度随时间的变化曲线，这样可方便的从获得的曲线中判断出化学机械抛光的终点。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 终点 侦测 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种终点侦测方法，其特征在于，所述侦测方法至少包括步骤：1)先利用红外探测器在垂直方向上探测晶圆抛光过程中的表面温度变化；2)获取晶圆表面温度梯度随时间变化的曲线；3)最后根据所述的温度梯度随时间变化的曲线判断抛光的终点，所述温度梯度随时间变化的曲线从上升再到平稳，上升到平稳的拐点处即为抛光的终点。
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