[发明专利]制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法有效
| 申请号： | 201310048766.2 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103258770A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸也;石月义克;谷元昭 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 电子 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在支承构件上设置第一粘接层；在所述第一粘接层上设置膜；在所述膜上布置半导体元件；在布置有所述半导体元件的所述膜上设置树脂层，并在所述膜上形成包括所述半导体元件和所述树脂层的基片；以及使所述膜和所述基片与所述第一粘接层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
