[发明专利]一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法，包括以下步骤：步骤10）选取SOI硅片作为起始硅片；步骤20）在SOI硅片顶面生长氧化绝缘层，然后在氧化绝缘层顶面覆盖光刻胶层，接着在光刻胶层上刻蚀孔，形成第一孔；随后在第一孔上淀积保护层，并去掉位于第一孔底面上的保护层；步骤30）沿着第一孔继续向下刻蚀孔，在衬底中形成第二孔；步骤40）刻蚀位于第一孔下方的衬底，使第二孔的孔径大于第一孔的孔径；步骤50）腐蚀掉氧化绝缘层和第一孔侧壁的保护层，然后对整个表面进行硅外延生长，使第二孔封闭；步骤60）利用光刻板，对硅膜进行梳齿光刻，制成静电驱动结构。该制备方法简单，可靠性高，且加工精度高。

主权项

一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：步骤10）选取硅片：选取（100）晶向高掺杂衬底（1）和硅膜（3）的SOI硅片作为起始硅片；SOI硅片从下向上依次为衬底（1）、绝缘层（2）和硅膜（3）；步骤20）采用热氧化方法在SOI硅片顶面生长一层氧化绝缘层（7），然后采用旋涂工艺，在氧化绝缘层（7）顶面覆盖一层光刻胶层（6），接着采用光刻工艺，在光刻胶层（6）上刻蚀孔，当刻蚀到氧化绝缘层（7）顶面时，用氢氟酸溶液腐蚀掉氧化绝缘层（7），在硅膜（3）上继续刻蚀孔，当刻蚀到绝缘层（2）顶面时，用氢氟酸溶液腐蚀掉绝缘层（2），从而形成第一孔（8），该第一孔（8）贯穿光刻胶层（6）、氧化绝缘层（7）、硅膜（3）和绝缘层（2）；随后采用八氟化四碳气体干法刻蚀工艺，在第一孔（8）的侧壁和底面上淀积保护层（10），并用离子轰击去掉位于第一孔（8）底面上的保护层（10）；步骤30）采用干法感应耦合等离子体工艺，沿着第一孔（8）继续向下刻蚀孔，在衬底（1）中形成第二孔（9）；步骤40）采用各向同性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀位于第一孔（8）下方的衬底（1），使第二孔（9）的孔径大于第一孔（8）的孔径；步骤50）采用氢氟酸溶液，腐蚀掉位于硅膜（3）上方的氧化绝缘层（7）和位于第一孔（8）侧壁的保护层（10），然后采用外延工艺，对整个表面进行硅外延生长，填充第一孔（8），使第二孔（9）封闭；步骤60）采用感应耦合等离子体工艺，利用光刻板，对硅膜（3）进行梳齿光刻，一直刻到衬底（1）的空腔的底部，形成活动梳齿（4）、固定梳齿（5）、活动电极区（11）、支杆和扭转杆，支杆通过扭转杆与活动电极区（11）固定连接，活动梳齿（4）固定连接在支杆的侧面，活动梳齿（4）与固定梳齿（5）交错布置。