[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310048896.6 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247597A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 押田大介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其中未对准不会导致短路并且降低了布线间电容的。多条布线设置在第一层间绝缘层中。气隙形成在第一层间绝缘层中的至少一对布线之间。第二层间绝缘层位于布线和第一层间绝缘层之上。第二层间绝缘层的第一底表面暴露于气隙。当距离最短的一对相邻布线为第一布线时，第一层间绝缘层的位于第一布线之间的上端与第一布线的侧表面接触。第一底表面在第一布线的上表面之下。b/a≤0.5成立，其中a表示第一布线之间的距离，b表示第一层间绝缘层的与第一底表面接触的部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一层间绝缘层；多条布线，设置在所述第一层间绝缘层中；气隙，形成在所述第一层间绝缘层中的至少一对布线之间；以及第二层间绝缘层，设置在所述布线和所述第一层间绝缘层之上，所述第二层间绝缘层的第一底表面暴露于所述气隙，其中，当距离最短的一对相邻布线为第一布线时，所述第一层间绝缘层的位于所述第一布线之间的上端与所述第一布线的侧表面接触；所述第一底表面在所述第一布线的上表面之下；并且b/a≤0.5成立，其中a表示在所述第一布线之间的距离，而b表示所述第一层间绝缘层的与所述第一底表面接触的部分的宽度。
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