[发明专利]具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法有效
| 申请号： | 201310048977.6 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103123934A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;彭恩超;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具势垒层 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310048977.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
