[发明专利]一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法无效
| 申请号： | 201310049958.5 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103077996A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李彬;韩勤;杨晓红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特征的方法，所述雪崩光电探测器用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)、倍增层(5)、第二电荷层(62)和渡越层。吸收层(8)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布；倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应，产生雪崩载流子对，雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(9)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间，有利于其高频特性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电 探测器 提高 高频 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电探测器，用于探测目标探测光，包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)和倍增层(5)，所述吸收层(8)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；所述第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布；所述倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩倍增效应，产生雪崩载流子对；其特征在于：所述雪崩光电探测器还包括渡越层(9)，所述渡越层(9)与所述吸收层(8)分别位于倍增层(5)的两侧，所述雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(8)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310049958.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蜂窝式催化剂磨损强度试验装置
- 下一篇：转鼓机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
