[发明专利]半导体设置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310050109.1 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985752A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对两侧由衬底中半导体的一部分形成的鳍；以及夹于背栅与各鳍之间的背栅介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 设置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设置，包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对两侧由衬底中半导体的一部分形成的鳍；以及夹于背栅与各鳍之间的背栅介质层。
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