[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310050540.6 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985756B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNP结或NPN结。该半导体器件由于采用背栅隔离结构，可分别地向场效应晶体管的背栅施加不同的电压，从而相应地调节各个场效应晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNP结或NPN结，其中背栅隔离结构包括：半导体衬底中的第一阱区；位于第一阱区上方并且与第一阱区邻接的第二阱区；以及将第二阱区隔开为第一部分和第二部分的浅沟槽隔离，其中，所述相邻的场效应晶体管中的第一场效应晶体管的背栅导体与第二阱区的第一部分接触，第二场效应晶体管的背栅导体与第二阱区的第二部分接触，其中第一晶体管的导电类型与第二晶体管的导电类型相同，第一阱区的掺杂类型与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的导电类型相同，第二阱区的掺杂类型与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的导电类型相反。
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