[发明专利]太阳能电池的制作方法及太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201310050811.8 申请日: 2013-02-08
公开(公告)号: CN103985779A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 金光耀;王懿喆;洪俊华 申请(专利权)人: 上海凯世通半导体有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池,包括:步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构;步骤S2、对该PN结构进行退火处理,并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜;步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜,未被该掩膜覆盖的区域为电极区域;步骤S4、在未被该掩膜覆盖的区域形成电极。本发明省去了原本的钝化和开孔的两道制程,简化了工艺步骤,并且由于不用额外的开孔步骤,也大大降低了碎片率。另外,该方法完全无需增加新的制程设备,降低了制作成本。
搜索关键词: 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构;步骤S2、对该PN结构进行退火处理,并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜;步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜板,其中被该掩膜板所覆盖的区域为电极区域,在该PN结构的背面上形成一保护层,该保护层形成于未被该掩膜板覆盖的区域;步骤S4、去除该掩膜板,在该衬底的背面的该金属区域形成电极。
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