[发明专利]太阳能电池的制作方法及太阳能电池无效
申请号: | 201310050811.8 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103985779A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 金光耀;王懿喆;洪俊华 | 申请(专利权)人: | 上海凯世通半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池,包括:步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构;步骤S2、对该PN结构进行退火处理,并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜;步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜,未被该掩膜覆盖的区域为电极区域;步骤S4、在未被该掩膜覆盖的区域形成电极。本发明省去了原本的钝化和开孔的两道制程,简化了工艺步骤,并且由于不用额外的开孔步骤,也大大降低了碎片率。另外,该方法完全无需增加新的制程设备,降低了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构;步骤S2、对该PN结构进行退火处理,并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜;步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜板,其中被该掩膜板所覆盖的区域为电极区域,在该PN结构的背面上形成一保护层,该保护层形成于未被该掩膜板覆盖的区域;步骤S4、去除该掩膜板,在该衬底的背面的该金属区域形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的