[发明专利]异质结MWT电池及其制作方法、载片舟有效

专利信息
申请号: 201310051273.4 申请日: 2013-02-17
公开(公告)号: CN103117329B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰;宋登元 申请(专利权)人: 史金超
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/673;H01L31/0224;H01L31/072
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 071051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种异质结MWT电池的制作方法,包括提供衬底;采用掩膜片将衬底背面的过孔完全遮挡,在衬底的背面形成背面掺杂层、背面导电层、背面电极层;去除掩膜片,在过孔内填充导电材料,在衬底正面形成正面栅线,在衬底背面形成接触区,正面栅线通过过孔内的导电材料与接触区电性相连,且接触区与背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。本发明所提供的制作方法,采用掩膜片将电池正面栅线在背面的接触区完全遮挡,再在衬底背面制作各膜层,实现了背面各膜层的选择性形成,从根本上杜绝了背面接触区与背面各膜层的短路问题,无需额外增加其它步骤,制作工艺简单易实现,相对于现有技术降低了生产成本。
搜索关键词: 异质结 mwt 电池 及其 制作方法 载片舟
【主权项】:
一种异质结MWT电池的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底的正面覆盖有正面钝化层,背面覆盖有背面钝化层,且所述衬底具有至少一个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔;采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡,在衬底的背面形成背面掺杂层,在所述背面掺杂层背离衬底一侧的表面上形成背面导电层,在所述背面导电层背离衬底一侧的表面上形成背面电极层;去除所述掩膜片,在所述过孔内填充导电材料,并在衬底正面形成正面栅线,在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区,所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连,且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘;所述采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡的过程为,将所述衬底置于载片舟上,所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少一个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构,所述衬底背面的过孔被所述掩膜片完全遮挡。
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