[发明专利]在衬底表面上的等离子体激活的保形膜沉积的方法

摘要

一种在衬底表面沉积膜的方法包括将衬底提供至反应室中；从二‑叔‑丁基二叠氮基硅烷、双（乙基甲基胺基）硅烷、双（二异丙基氨基）硅烷、双（叔‑丁酰肼）二乙基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基叠氮化物、三（二甲胺基）甲硅烷基氨化物、三叠氮乙基硅、二异丙基氨基硅烷、以及六（二甲基胺基）二硅氮烷中选择含硅反应物；在能让含硅反应物被吸附到衬底表面的条件下将处于气相的含硅反应物引入到反应室中；在含硅反应物被吸附到衬底表面上时将处于气相的第二反应物引入反应室，其中在没有事先将含硅反应物清扫出反应室时将第二反应物引入；以及将衬底表面暴露于等离子体以驱动含硅反应物和第二反应物之间的在衬底表面上的反应，从而形成膜。

主权项

一种在衬底表面沉积膜的方法，其包括：将衬底提供至反应室中；从由二‑叔‑丁基二叠氮基硅烷、三(二甲胺基)甲硅烷基叠氮化物、以及双(叔‑丁酰肼)二乙基硅烷组成的前体组中选择含硅反应物；将处于气相的所述含硅反应物引入到所述反应室中；以及将处于气相的第二反应物引入到所述反应室中。