[发明专利]引线孔的返工方法有效
申请号: | 201310051844.4 | 申请日: | 2013-02-17 |
公开(公告)号: | CN103996626B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 黄玮 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种引线孔的返工方法,于钝化光刻和聚酰亚胺光刻工艺后进行,包括下列步骤剥离晶圆表面的聚酰亚胺;重新在所述晶圆上淀积铝层;在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影,显影后剩余的光刻胶图形为所述钝化光刻中显影后光刻胶图形的互补图形;腐蚀所述铝层;再次进行所述聚酰亚胺光刻;固化晶圆表面的所述聚酰亚胺。本发明通过重新淀积铝后光刻形成与引线孔返工前的光刻中显影后的光刻胶图形的互补胶图形,使得引线孔处的铝层被光刻胶所保护而增厚。可以保证引线孔返工后,即两次显影后的铝损失厚度和一次显影的厚度损失一致甚至更少,保证了后续的引线键合工艺的质量。 | ||
搜索关键词: | 引线 返工 方法 | ||
【主权项】:
一种引线孔的返工方法,其特征在于,于钝化光刻和聚酰亚胺光刻工艺后进行,所述聚酰亚胺光刻包括在晶圆表面涂布聚酰亚胺,在聚酰亚胺表面涂布光刻胶并进行曝光和显影的步骤,所述方法包括下列步骤:剥离晶圆表面的聚酰亚胺;重新在所述晶圆上淀积铝层;在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影,显影后剩余的光刻胶图形为所述钝化光刻中显影后光刻胶图形的互补图形;腐蚀所述铝层;再次进行所述聚酰亚胺光刻;固化晶圆表面的所述聚酰亚胺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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