[发明专利]隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310052017.7 | 申请日： | 2013-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811404A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 曹昌胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 隔离结构及其形成方法。一种形成具有隔离结构的半导体结构的方法。提供了具有第一区域和第二区域的衬底。用中性掺杂物注入第一区域和第二区域以分别在第一区域和第二区域中形成第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件。第一蚀刻停止部件具有深度D1，第二蚀刻停止部件具有深度D2。D1小于D2。蚀刻第一区域和第二区域中的衬底以分别形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽和第二沟槽分别连接在第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件上。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成具有隔离结构的半导体结构的方法，所述方法包括：提供具有第一区域和第二区域的衬底；用中性掺杂物注入所述第一区域和所述第二区域以分别在所述第一区域和所述第二区域中形成第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件，所述第一蚀刻停止部件具有深度D1，所述第二蚀刻停止部件具有深度D2，其中，D1小于D2；在所述第一区域和所述第二区域中蚀刻衬底以分别形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽分别连接在所述第一蚀刻停止部件和所述第二蚀刻停止部件上；以及用介电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以形成第一隔离结构和第二隔离结构，其中，所述第一隔离结构基本上具有所述深度D1，所述第二隔离结构基本上具有所述深度D2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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