[发明专利]用于辐射检测器的半导体结构以及辐射检测器

摘要

本发明涉及一种用于辐射检测器的半导体结构，具有由第一导电型的半导体材料组成的基体(12)；半导体基体(14)，半导体基体(14)具有设置在基体(12)上的相对于基体(12)高电阻的半导体层，半导体基体是第一导电型的并且是以一定掺杂浓度电掺杂的；多个掺杂区域(13)，掺杂区域(13)埋入半导体基体(14)中并相互绝缘地构成并且是与第一导电型相反的第二导电型的，以及是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于半导体基体(14)中的掺杂浓度；至少一个另外的掺杂区域(15)，至少一个另外的掺杂区域(15)埋入半导体基体(14)中并配设给一个或多个掺杂区域(13)并且是第一导电型的，并且是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于半导体基体(14)中的掺杂浓度；以及覆盖层(10)，覆盖层设置在半导体基体(14)上并且是第二导电型的。本发明还涉及一种辐射检测器。

主权项

一种用于辐射检测器的半导体结构，具有：‑由第一导电型的半导体材料组成的基体(12)，‑半导体基体(14)，所述半导体基体(14)‑具有设置在基体(12)上的半导体层，所述半导体层相对于基体(12)是高电阻的，‑是第一导电型的，并且‑是以一定掺杂浓度电掺杂的，‑多个掺杂区域(13)，所述掺杂区域(13)‑埋入所述半导体基体(14)中并相互绝缘地构成，‑是第二导电型的，第二导电型与第一导电型相反，以及‑是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于所述半导体基体(14)中的掺杂浓度，‑至少一个另外的掺杂区域(15)，所述至少一个另外的掺杂区域(15)‑埋入所述半导体基体(14)中并配设给一个或多个所述掺杂区域(13)，‑是第一导电型的，并且‑是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于所述半导体基体(14)中的掺杂浓度，以及‑覆盖层(10)，所述覆盖层(10)设置在所述半导体基体(14)上并且是第二导电型的，其中，在所述半导体基体(14)中在设置在其中的所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)和设置在所述半导体基体(14)上的所述覆盖层(10)之间构成雪崩区域，就是说，具有高电场强度的区域，在该区域中，在运行中由于撞击发生自由载流子的复制，以及在所述半导体基体(14)中在设置在其中的所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)和所述基体(12)之间构成熄灭区域。