[发明专利]BSI芯片中的多金属膜堆叠件

摘要

本发明公开了BSI芯片中的多金属膜堆叠件，其中形成方法包括：形成从半导体衬底的背面延伸到半导体衬底正面上的金属焊盘的开口；以及形成第一导电层，其包括与半导体衬底中的有源图像传感器重叠的第一部分、与半导体衬底中的黑色参考图像传感器重叠的第二部分以及位于开口中以接触金属焊盘的第三部分。第二导电层形成在第一导电层上方并与其接触。执行第一图案化步骤以去除第二导电层的第一和第二部分，其中第一导电层被用作蚀刻停止层。执行第二图案化步骤以去除第一导电层的第一部分的一部分。在第二图案化步骤之后保留第一导电层的第二和第三部分。

主权项

一种方法，包括：在半导体衬底中形成开口，所述开口从所述半导体衬底的背面延伸到所述半导体衬底的正面上的金属焊盘；在所述半导体衬底的背面上形成第一导电层，所述第一导电层延伸到所述开口中以接触所述金属焊盘；在所述第一导电层上方形成第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层包括不同的材料；执行第一图案化步骤以从第一器件区域和第二器件区域中去除所述第二导电层，在所述第一图案化步骤之后保留所述第二导电层位于所述金属焊盘上方的部分，并且所述第一导电层在所述第一图案化步骤中用作蚀刻停止层；以及执行第二图案化步骤以从所述第一器件区域中去除部分所述第一导电层，在所述第二图案化步骤之后保留所述导电层位于所述第二器件区域中的部分以形成金属屏蔽层，并且所述金属屏蔽层与黑色参考图像传感器重叠。