[发明专利]基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置有效
| 申请号： | 201310053244.1 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103199436A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张冶金;渠红伟;王海玲;张斯日古楞;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分，其中硅基部分采用SOI材料，其上分布着布拉格光栅和耦合输出波导，实现高效耦合输出。III-V族倾斜光束边发射激光器结构直接键合于SOI上，光束向斜下方发射，照射到硅基布拉格光栅上，再耦合到硅基波导中。本发明通过倾斜光束边发射激光器与光栅的高效耦合，形成一种面上光源装置，其可通过事先对激光器进行选择，然后再集成到硅基上来实现，可实现更高的功率，工艺难度也不大，其中倾斜光束边发射激光器具有极低的发散角。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 倾斜 光束 发射 激光器 波导 输出 面上 光源 装置 | ||
【主权项】：
一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，其包括硅基波导和激光器，所述硅基波导具有硅基光栅和硅基输出波导，所述硅基输出波导为耦合波导结构；所述激光器的表面上分布有周期狭槽，该周期狭槽使得激光器发出的激光光束倾斜输出，并照射到所述硅基光栅后，从硅基输出波导耦合输出。
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