[发明专利]远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201310053286.5 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103121670A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 任巍;张易军;史鹏;吴小清 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其以液态苯作为C源，使用PEALD设备进行ALD模式的石墨烯生长，以远程等离子体作为PEALD的另外一种源获得低温生长；以铜箔为基底，反应前采用3kW的大功率H2/Ar等离子体对Cu基底表面进行清洗和还原，去除Cu基底表面的污物和氧化层。本发明通过远程等离子体增强原子层沉积系统（PEALD）来实现单层和多层生长，能够精确控制石墨烯厚度，所制备石墨烯结晶度和纯度较高高，并且制备石墨烯所需制备温度低。 | ||
| 搜索关键词： | 远程 等离子体 增强 原子 沉积 低温 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于，以液态苯作为C源，使用PEALD设备进行ALD模式的石墨烯生长，以远程等离子体作为PEALD的另外一种源获得低温生长；以铜箔为基底，反应前采用3kW的大功率H2/Ar等离子体对Cu基底表面进行清洗和还原，去除Cu基底表面的污物和氧化层。
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