[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种耐性高、使制造成品率提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；设置在第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层；设置在第2半导体层之上的第1导电型的第1半导体区域；与设置在第2半导体层之上的第1半导体区域相接的第2导电型的第2半导体区域，第2半导体区域具有比第2半导体层高的杂质元素浓度；隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体层、以及第1半导体层相接的第1电极；隔着第2绝缘膜而与第2半导体区域相接的第2电极；与第1半导体区域以及第2半导体区域连接的第3电极；以及与第1半导体层电连接的第4电极。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层之上；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第2半导体层之上；第2导电型的第2半导体区域，与设置在上述第2半导体层之上的上述第1半导体区域相接，具有比上述第2半导体层高的杂质元素浓度；第1电极，经由第1绝缘膜与上述第1半导体区域、上述第2半导体层以及上述第1半导体层相接；第2电极，经由第2绝缘膜与上述第2半导体区域相接；第3电极，与上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域连接；第4电极，与上述第1半导体层电连接；以及一对第5电极，经由第3绝缘膜夹持上述第1半导体层、上述第1电极、以及上述第2电极，上述一对第5电极各自排列的方向上的上述第1半导体区域的第一宽度和上述方向上的上述第2半导体区域的第二宽度相同，上述第2半导体区域的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第一长度，比上述第2电极的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第二长度短。