[发明专利]一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法

摘要

一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：在基底的透明导电多晶薄膜上生长CdS多晶薄膜，停止加热，然后在真空条件下对生长完成后的CdS多晶薄膜进行降温、再升温或者加热保持、或再升温降温的过程，多晶薄膜多晶薄膜再在所制备的CdS多晶薄膜上溅射CdTe多晶薄膜。之后在CdCl₂气氛中对所制备的CdS多晶薄膜和CdTe多晶薄膜进行退火处理；最后在经退火处理后的CdTe多晶薄膜上蒸镀导电背电极。

主权项

一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是，所述的制备方法步骤如下：1）在磁控溅射炉放置基底的位置上放置具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基底的探针，使基底的透明导电薄膜和外加电压设备相连；然后关闭磁控溅射炉的真空室，对所述的真空室抽真空，并对基底加热；2）当真空室背底真空到达10^‑3Pa以下，所述的基底温度达到25℃‑1100℃，开始在具有透明导电多晶薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜；当CdS多晶薄膜的厚度达到20nm‑500nm时，停止生长CdS多晶薄膜；然后对生长完成的CdS多晶薄膜在25℃‑1100℃温度范围下保持1min‑72h，或者停止对基底加热，使CdS多晶薄膜降温到室温，然后在室温下保持0‑72h；之后，把基底的位置转移到正对CdTe靶的位置，启动射频电源开始溅射CdTe多晶薄膜，对基片施加偏压+8.8V—‑100V；当CdTe多晶薄膜的厚度达到0.5μm‑10μm时，关闭外加电源停止对基片的偏压，同时关闭射频电源，停止CdTe多晶薄膜的生长，停止对基底加热，使生长了CdS多晶薄膜和CdTe多晶薄膜的基底随炉冷却，然后取出生长了CdS多晶薄膜和CdTe多晶薄膜的基底；3）对步骤2制备的CdS和CdTe多晶薄膜进行CdCl₂退火处理；4）在经CdCl₂退火处理后的CdTe多晶薄膜表面蒸镀导电背电极。