[发明专利]一种半导体器件测试装置及其测试方法有效
申请号: | 201310054142.1 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN103176116A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 刘江;王耀华;刘钺杨;赵哿;高明超;金锐 | 申请(专利权)人: | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件测试装置及其测试方法。其装置包括测试单元和探针台,测试单元包括台盘、固定在台盘上的圆片和设置于圆片上的半导体器件,半导体器件包括测试芯片和非测试芯片;探针台中的探针包括与测试芯片正面接触的探针和与非测试芯片正面硅表面接触的可施加高压的探针,台盘为接地的台盘。其方法为将圆片固定在台盘上,选定测试芯片和非测试芯片;将台盘接地;将测试探针与测试芯片正面接触,并将测试芯片接地;将高压探针与非测试芯片正面硅表面接触,并将高压通过高压探针施加于测试芯片;测试探针读取测试芯片的电压和电流曲线。本发明直接在芯片的正面施加高压,减少打火等干扰,测试结果准确,且安全性更高。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 测试 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件测试装置,包括测试单元和探针台,所述测试单元包括台盘、固定在台盘上的圆片和设置于圆片上的半导体器件,所述半导体器件包括测试芯片和非测试芯片;其特征在于,所述探针台中的探针包括与测试芯片正面接触的探针和与非测试芯片正面硅表面接触的可施加高压的探针,所述台盘为接地的台盘。
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