[发明专利]一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法无效
| 申请号： | 201310054173.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103111157A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈自力;杨云;王航舟;唐伟博;孙晓龙;李兰励;韩太宇 | 申请（专利权）人： | 陕西天宏硅材料有限责任公司;四川天一科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;C01B3/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 712000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法，包括以下步骤：A、压缩冷凝：将再生过程中的排放尾气由界外引入，将其中的氯硅烷以液体的方式去除；B、变温吸附：将压缩冷凝处理后的气体预热至常温并送往活性炭吸附床进行变温吸附，脱除气体中的少量氯硅烷气体；C、精脱氯：将变温吸附处理后的气体经过精脱氯吸附床脱除气体中少量的HCL气体；D、变压吸附：将精脱氯处理后的气体经过分子筛和活性碳为主的吸附床进行变压吸附，脱除N2、CH4等其他杂质气体，得到高纯度的H2，一部分H2用于自身床层的解吸，大部分做为产品气供用气单元，解吸气返回变温吸附做为活性炭吸附床的再生气排废。本发明不仅对氯硅烷、氯化氢的脱除率高，并且对再生氢气中的N2、CH4等杂质含量可脱除至＜1ppmv，而且操作自动化、工艺流程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 吸附 再生 过程 排放 尾气 净化 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法，其特征在于包括以下步骤：A、压缩冷凝：将再生过程中的排放尾气由界外引入，经加压至1.6MPa、冷凝、气液分离，将其中的氯硅烷以液体的方式去除；B、变温吸附：将压缩冷凝处理后的气体预热至常温并送往活性炭吸附床进行变温吸附，脱除气体中的少量氯硅烷气体；C、精脱氯：将变温吸附处理后的气体经过精脱氯吸附床脱除气体中少量的HCL气体；D、变压吸附：将精脱氯处理后的气体经过分子筛和活性碳为主的吸附床进行变压吸附，脱除N2、CH4等其他杂质气体，得到高纯度的H2，一部分H2用于自身床层的解吸，大部分做为产品气供用气单元，解吸气返回变温吸附做为活性炭吸附床的再生气排废。
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