[发明专利]一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法无效
| 申请号： | 201310054766.3 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103151300A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄君;张瑜;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体蚀刻工艺技术领域，更确切的说，涉及一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法陷的方法，包括步骤S1：刻蚀所述第二氧化物层至所述硬质掩膜的上表面；步骤S2：刻蚀所述硬质掩膜至所述第一氧化物层的上表面；步骤S3：对所述第一氧化物层进行平坦化工艺，部分去除所述第一氧化物层，同时将位于所述第一氧化物层上的缺陷图案去除。本发明通过对报废的晶片进行两道特殊的蚀刻工艺和一道平坦化工艺，可很好的去除晶片硬质掩模的缺陷，然后通过对处理后的晶片进行再生长工艺即可完全回到晶片刻蚀前的结构，减少了晶片在生产过程中产生的报废，保证了生产规格，提高了产品良率同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 硬质 膜结构 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，应用于具有缺陷图案的硬质掩膜结构上，所述硬质掩膜结构包括具有半导体结构的衬底，该衬底的上表面从下至上顺序依次覆盖有介质层、第一氧化物层、硬质掩膜层和第二氧化物层，所述缺陷图案贯穿所述第二氧化物层和所述硬质掩膜，且该缺陷图案部分位于所述第一氧化物层上，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、刻蚀所述第二氧化物层至所述硬质掩膜的上表面；步骤S2、刻蚀所述硬质掩膜至所述第一氧化物层的上表面；步骤S3、对所述第一氧化物层进行平坦化工艺，部分去除所述第一氧化物层，同时将位于所述第一氧化物层上的缺陷图案去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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