[发明专利]一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法

摘要

本发明公开了一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法，将氮化硅粉和纯净水按比例混合球磨，制成陶瓷浆料；然后将陶瓷浆料倒入模具中，再将模具放入密闭容器中，控制容器的压力和温度，使模具中的陶瓷浆料在低温条件下边干燥边成型，制成多孔氮化硅陶瓷坯体；最后将多孔氮化硅陶瓷坯体放入氧化烧结炉中烧结，制备出具有不同弯曲强度和介电常数的多孔氮化硅—二氧化硅透波材料。该方法工艺简单，能够快速制备出导弹天线罩所需形状的多孔氮化硅—二氧化硅透波材料，可显著提高导弹天线罩的制造效率，并降低其制造成本。

主权项

一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法，其特征在于包括下述步骤：（a）浆料制备将粒径为0.6~1.0微米的氮化硅粉倒入球磨罐中，其中，每100克氮化硅粉，倒入40~60毫升的纯净水，并加入15~25颗直径为8~12毫米的氧化铝球，然后在3℃~5℃温度下，球磨0.5~2小时制成浆料；（b）陶瓷坯体低温干燥成型在3℃~5℃温度下，将浆料倒入具有所需形状的模具中，然后将模具放入密闭的容器中，抽真空至0.2kPa~0.5kPa，保持该状态24~36小时；（c）陶瓷坯体烧结调节容器的恒压阀，让容器泄压，泄压速度控制在每分钟20kPa~50kPa，泄压完毕后将陶瓷坯体取出，放入氧化烧结炉中，在1200℃~1350℃温度下烧结1~5小时，即可得到多孔氮化硅‑二氧化硅透波材料。