[发明专利]半导体封装制造过程及其结构

摘要

本发明是有关于一种半导体封装制造过程，其包含下列步骤：提供第一基板，该第一基板具有第一金属凸块，该第一金属凸块具有对接部，该对接部具有第一软化点；提供第二基板，该第二基板具有第二金属凸块，该第二金属凸块具有第二软化点，且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点，该第二金属凸块具有顶面及侧壁；进行加热步骤，以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态；以及压合该第一基板与该第二基板，以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁。

主权项

一种半导体封装制造过程，其特征在于其至少包含：提供第一基板，该第一基板具有第一表面及第一金属凸块，该第一金属凸块形成于该第一表面上，该第一金属凸块具有底部及对接部，该底部位于该对接部与该第一基板之间，该对接部具有第一软化点；提供第二基板，该第二基板具有第二表面及第二金属凸块，该第二金属凸块形成于该第二表面上，该第二金属凸块具有第二软化点，且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点，该第二金属凸块具有顶面及侧壁；进行加热步骤，以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态；以及压合该第一基板与该第二基板，该第一表面朝向该第二表面，以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁，呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部则位于该第二金属凸块与该第一基板之间。