[发明专利]平面化的三维磁感测芯片有效

专利信息
申请号: 201310055189.X 申请日: 2013-02-21
公开(公告)号: CN104007401B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 郑振宗;袁辅德;赖孟煌 申请(专利权)人: 赖孟煌
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马雯雯,臧建明
地址: 中国台湾新北市汐止*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种平面化的三维磁感测芯片,包含设置于电路芯片基板上的第一磁传感器、第二磁传感器、第三磁传感器及磁束偏折集中结构,第一磁传感器与第二磁传感器共同量测磁通量在第一方向及第三方向的分量,第三磁传感器量测磁通量在第二方向的分量,磁束偏折集中结构将磁通量在第三方向的分量偏折至第一方向,而使第一磁传感器及第二磁传感器在第一方向上量测磁通量第三方向的分量,磁束偏折集中结构与其它磁感应器以半导体制程完成,不需两段式装设第三方向的磁传感器,大幅提高了产率及良率。
搜索关键词: 平面化 三维 磁感测 芯片
【主权项】:
一种平面化的三维磁感测芯片,其特征在于,包含:一电路芯片基板;一第一磁传感器,设置于该电路芯片基板的上表面;一第二磁传感器,设置于该电路芯片基板的上表面,与该第一磁传感器共同量测一磁通量在一第一方向以及一第三方向的分量;一第三磁传感器,设置于该电路芯片基板的上表面,用以量测该磁通量在一第二方向的分量,其中该第二方向与该第一方向在一平面上相互垂直,而该第三方向垂直该第一方向与该第二方向;以及一磁束偏折集中结构,设置于该电路芯片基板的上表面,设置于该第一磁传感器及该第二磁传感器之间,将该磁通量在该第三方向的分量集中,并偏折至该第一方向,而藉由该第一磁传感器及该第二磁传感器在该第一方向上量测到该磁通量在该第三方向的分量,其中该第一磁传感器、该第二磁传感器、该第三磁传感器以及该磁束偏折集中结构与该电路芯片基板中的一电路电气连接,而该第一磁传感器及该第二磁传感器基于该磁束偏折集中结构对称。
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