[发明专利]一种蔡氏混沌电路的负阻等效方法无效
| 申请号： | 201310055649.9 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103236918A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王少夫 | 申请（专利权）人： | 王少夫 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 23310*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一个蔡氏混沌电路的负阻等效方法，利用单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)混合结构器件SETMOS的负微分电阻NDR特性实现混沌电路的非线性函数，将其应用于蔡氏电路中代替负阻，对该电路进行了仿真，表明此方法的有效性，电路实现简单，输出信号具有较大的动态范围，将在雷达、保密通信、电子对抗等领域有着广泛的应用前景及重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混沌 电路 等效 方法 | ||
【主权项】：
一个蔡氏混沌电路的负阻等效方法，其特征包括：利用单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)混合结构器件SETMOS的负微分电阻NDR特性实现混沌电路的非线性函数，将其应用于蔡氏电路中代替负阻。
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