[发明专利]具有垂直结构的发光二极管在审
| 申请号： | 201310055713.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151437A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金钟旭;崔在完;曹贤敬;罗钟浩;张峻豪 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管（LED）及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管（LED）包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有垂直结构的发光二极管，包括：支撑层；设置在所述支撑层的表面上的第一电极，所述第一电极包括：欧姆电极和紧靠在所述欧姆电极上的反射电极；设置在所述第一电极上的发光器件结构；导电型半导体层，其设置在所述发光器件结构上，所述导电型半导体层的外表面在所述导电型半导体层的上表面和侧表面之间具有倾角；以及第二电极，其位于所述导电型半导体层的所述上表面上，其中，所述支撑层的所述表面的宽度比所述导电型半导体层的所述上表面的宽度更宽。
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