[发明专利]信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310056045.6 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103151253A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;谢海征;陈磊;徐少颖;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中因栅极和源极、漏极存在一定重合而产生耦合电容的问题。所述方法包括在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层；通过干法刻蚀构图工艺，制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；同一干法刻蚀条件下，用于制作第一阻挡层的材料的横向刻蚀速度大于用于制作第二阻挡层的材料的横向刻蚀速度；通过湿法刻蚀构图工艺制得信号线，形成具有多层绝缘层结构的薄膜晶体管，细化了栅极的宽度，缩小了栅极和源极、漏极的重合区域，增大了栅极的电容，提高了薄膜晶体管的传输速度，改善了薄膜晶体管的沟道特性。 | ||
| 搜索关键词： | 信号线 制作方法 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种信号线的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层；通过构图工艺制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；通过构图工艺制得所述信号线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
