[发明专利]具有改善的鲁棒性的半导体器件有效
| 申请号： | 201310056709.9 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103383966A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;F.希尔勒;A.毛德;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有改善的鲁棒性的半导体器件。一种半导体器件，包括：第一接触体，与器件的源极区域和在器件的有源区中形成的主体区域的第一部分低欧姆接触；和第二接触体，与在器件的外围区中形成的主体区域的第二部分低欧姆接触。在器件的第一表面的第二接触体的最小宽度大于在第一表面的第一接触体的最小宽度，使得在使半导体器件换向期间的最大电流密度减小，从而也减小了在硬换向期间器件损坏的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 鲁棒性 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体主体，包括： ‑限定垂直方向的第一表面;‑具有第一最大掺杂浓度且被布置在第一表面下面的第一导电类型的漂移区域；和‑具有低于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的第一导电类型的半导体层，该半导体层邻接漂移区域并且被布置在漂移区域下面，所述半导体主体在垂直横截面中还包括：‑邻接漂移区域的第二导电类型的第一主体区域，邻接第一主体区域且被布置在第一表面与第一主体区域之间的第一导电类型的源极区域；‑垂直沟槽，从第一表面延伸到至少半导体层，邻接源极区域、第一主体区域和漂移区域，并且包括绝缘栅电极; ‑第一接触体，在第一表面具有第一最小宽度并且与源极区域和第一主体区域低欧姆接触； ‑第二导电类型的第二主体区域，其仅与漂移区域形成pn结；以及‑第二接触体，与第二主体区域低欧姆接触并且在第一表面具有大于第一最小宽度的第二最小宽度。
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