[发明专利]发光二极管芯片制作方法有效
| 申请号： | 201310056811.9 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103107259A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，采用外延方式在氮化镓基发光外延层上生长氧化锌层作为高温侧壁蚀刻处理的保护层，因氧化锌与氮化镓晶格匹配度较好，所以采用外延生长方式可以获得晶格质量较好的膜层，在氧化锌层上再沉积耐酸性材料作为氧化锌层的保护层，这样可以在高温酸性溶液蚀刻过程中起到很好的保护氮化镓外延层的作用，特别是对于接触材料采用金属银的倒装结构芯片，可以较好得保持银与p型外延层的欧姆接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管芯片制作方法，包括步骤：在衬底上外延生长氮化镓基发光外延层；在氮化镓基发光外延层上外延生长氧化锌层；在氧化锌层上沉积保护层；采用激光正面划片定义切割道，激光烧蚀切割道上的保护层、氧化锌层、氮化镓基发光外延层和部分衬底；去除激光烧蚀残留物；去除所述保护层和氧化锌层。
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