[发明专利]紫外发光二极管结构有效
| 申请号： | 201310057268.4 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137822A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫建昌;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。本发明采用等离激元技术提高出光效率和内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。
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