[发明专利]用于HEMT的集成肖特基二极管

摘要

本发明提供一种晶体管器件的实施方式，包括在半导体载体上的化合物半导体材料和源极区域以及漏极区域，其中在化合物半导体材料中由置于所述源极区域与漏极区域之间的沟道区域将源极区域与漏极区域相互隔开。肖特基二极管与半导体载体集成，并且触点从源极区域和漏极区域延伸并穿过化合物半导体材料。所述触点与肖特基二极管电接触，以使肖特基二极管并联连接在源极区域与漏极区域之间。在另一个实施方式中，集成肖特基二极管由置于器件漏极侧沟槽结构中的掺杂非晶硅的区域或掺杂多晶硅的区域形成。

主权项

一种晶体管器件，包括：化合物半导体材料，所述化合物半导体材料位于半导体载体上；源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域在所述化合物半导体材料中由置于所述源极区域与漏极区域之间的沟道区域相互隔开；肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述半导体载体集成；以及触点，所述触点从所述源极区域以及所述漏极区域延伸穿过所述化合物半导体材料，并且与所述肖特基二极管电接触，从而所述肖特基二极管并联连接在所述源极区域与所述漏极区域之间。