[发明专利]高纯碳化硼陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201310057743.8 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103073298A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张福军 | 申请（专利权）人： | 常熟华融太阳能新型材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 215500 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高纯碳化硼陶瓷的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将碳化硼粉按与烧结助剂0-10wt%，粘结剂PVA0.2-15wt%，分散剂0.2-15wt%，去离子水，采用高速搅拌或球磨混合分散，形成均匀的浆料；步骤二、造粒或直接干燥；步骤三、压制后烧结制备成碳化硼陶瓷，其特征在于将步骤一或/和步骤三中的碳化硼粉体或/和碳化硼陶瓷经提纯处理，具体为一种是经不同的酸洗或碱洗组合，最后采用去离子水或酒精清洗；另一种是将碳化硼粉体和碳化硼陶瓷管式炉中，氢气或氯气或碘单质气氛中，在600-1600ºC条件下处理，通过流动的气氛，在负压下形成易挥发的物质，本发明通过原料的化学或物理处理方法，以去除粉体以及碳化硼陶瓷中的各种杂质，使最终产品纯度不小于99.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 碳化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯碳化硼陶瓷的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将碳化硼粉按与烧结助剂0‑10wt%，粘结剂0.2‑15 wt%，分散剂0.2‑15 wt%，去离子水，采用高速搅拌或球磨混合分散，形成均匀的浆料；步骤二、造粒或直接干燥；步骤三、压制后烧结制备成碳化硼陶瓷，其特征在于将步骤一或/和步骤三中的碳化硼粉体或/和碳化硼陶瓷经提纯处理，具体提纯方法为一种是经不同的酸洗或碱洗或其组合，最后采用去离子水或酒精清洗；另一种是将碳化硼粉体和碳化硼陶瓷管式炉中，氢气或氯气或碘单质气氛中，在600‑1600ºC条件下处理，通过流动的气氛，在负压下形成易挥发的物质。
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