[发明专利]气相掺杂区熔硅单晶的生产方法无效
| 申请号： | 201310058352.8 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103114325A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘铮;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;乔柳;冯啸桐;孙昊 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，其特征在于：在等径保持生长过程中，单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转，所述一个旋转周期包括两个以上的旋转阶段，所述每个旋转阶段包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转，所述各个旋转阶段的旋转方式不同。本发明的有益效果是：有效降低了气相掺杂区熔硅单晶的RRV值并提高了气相掺杂区熔硅单晶的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 区熔硅单晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，其特征在于：在等径保持生长过程中，单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转，所述一个旋转周期包括两个以上的旋转阶段，所述每个旋转阶段包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转，所述各个旋转阶段的旋转方式不同。
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