[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在绝缘衬底上生长第一导电层，通过光刻刻蚀获得栅电极；在所述的栅电极上生长绝缘层；随后涂布有源层，通过光刻刻蚀技术获得有源岛。最后，沉积第二导电层，通过光刻刻蚀技术获得源、漏电极。采用光照对溶液法制备的薄膜进行处理，可以明显降低薄膜的热处理温度，可实现低温形成金属氧化物。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具有以下的步骤：1）在绝缘基板（101）上沉积第一导电层（102），在所述第一导电层（102）上涂布光刻胶；利用第一道掩膜板，通过曝光、刻蚀以及剥离形成栅电极（102a）；2）在所述栅电极（102a）上沉积绝缘层（103）；3）制备有源层所需溶液，根据所要制备氧化物，选取合适的原料、溶剂以及稳定剂；在所述绝缘层（103）上采用溶液薄膜制备法制备有源层（104）；4）采用紫外LED灯（106）对有源层（104）进行光照处理，在紫外光子的诱发下，形成氧化物及伴随产物；伴随产物挥发则得到致密的金属氧化物薄膜，得到氧化物有源层（104a）；5）在所述的氧化物有源层（104a）上涂布光刻胶；利用第二道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀以及剥离形成氧化物有源层岛（104b）；6）在所述氧化物有源层岛（104b）上沉积第二导电层（107），在所述第二导电层（107）上涂布光刻胶，利用第三道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀形成源极电极（107a）和漏极电极（107b），制得金属氧化物薄膜晶体管。