[发明专利]激光晶化装置及用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法有效
| 申请号： | 201310059430.6 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103377891A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 秋秉权;朴喆镐;李权炯;表圣哲 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 于未茗;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 激光晶化装置包括：产生激光束的激光发生器，激光束指向处理目标基板；和位于处理目标基板上方的刀片构件，刀片构件被配置为在两个方向上以预定宽度切断激光束，其中激光束的被刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到处理目标基板。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 化装 制造 薄膜晶体管 阵列 面板 方法 | ||
【主权项】：
一种激光晶化装置，包括：产生激光束的激光发生器，所述激光束指向处理目标基板；和位于所述处理目标基板上方的刀片构件，所述刀片构件被配置为在两个方向上以预定宽度切断所述激光束，其中所述激光束的被所述刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到所述处理目标基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
