[发明专利]太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310059480.4 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN103178135A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 胡雁程 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供太阳能电池,包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面,两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上,其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方,其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上,且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面与一第二表面,该第一表面相对于该第二表面,其中该基底具有一第一掺杂类型;一轻掺杂区,位于该基底的该第一表面上,该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间具有一接口,其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型,且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型;一半导体层,设于该轻掺杂区上方,其中该半导体层具有该第一掺杂类型;一第一电极,位于该基底的该第一表面上,埋设于部分该半导体层与该轻掺杂区中,且该第一电极的底部切齐于该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间的该接口;以及一第二电极,设于该基底的该第二表面。
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