[发明专利]太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201310059480.4 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103178135A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 胡雁程 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供太阳能电池,包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面,两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上,其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方,其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上,且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面与一第二表面,该第一表面相对于该第二表面,其中该基底具有一第一掺杂类型;一轻掺杂区,位于该基底的该第一表面上,该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间具有一接口,其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型,且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型;一半导体层,设于该轻掺杂区上方,其中该半导体层具有该第一掺杂类型;一第一电极,位于该基底的该第一表面上,埋设于部分该半导体层与该轻掺杂区中,且该第一电极的底部切齐于该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间的该接口;以及一第二电极,设于该基底的该第二表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310059480.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的