[发明专利]一种肖特基二极管的封装结构无效
| 申请号： | 201310059771.3 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103187383A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈钢全 | 申请（专利权）人： | 山东迪一电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明一种肖特基二极管的封装结构，包括芯片、跳线和金属框架，金属框架包括间隔相对的一个基部金属框架和两个引出金属框架，芯片的下表面与基部金属框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳线的一端，跳线的另一端焊接在引出金属框架的上表面，基部金属框架、引出金属框架之间和上方以及芯片、跳线的上方和外围均包覆有塑封体，基部金属框架和引出金属框架的下表面暴露在塑封体外，并且基部金属框架和引出金属框架均延伸有位于塑封体外的引脚。本发明的有益效果是：具有较高的散热效率，提高了可靠性，延长了使用寿命，提高了质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的封装结构，包括芯片、跳线和金属框架，所述金属框架包括间隔相对的一个基部金属框架和两个引出金属框架，所述芯片的下表面与基部金属框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳线的一端，跳线的另一端焊接在引出金属框架的上表面，其特征在于：所述基部金属框架、引出金属框架之间和上方以及芯片、跳线的上方和外围均包覆有塑封体，基部金属框架和引出金属框架的下表面暴露在塑封体外，并且基部金属框架和引出金属框架均延伸有位于塑封体外的引脚。
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