[发明专利]一种霍山石斛的组织培养方法

摘要

本发明涉及到一种霍山石斛的组织培养方法，将带侧芽的霍山石斛茎段用清洗干净后，经一定的消毒程序之后，转移到无菌操作台上去除叶片及膜质叶鞘，进一步消毒处理后放置在无菌的培养皿中；将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖；将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d条件下培养，获得生长状况良好的培苗，经过炼苗、栽种后，植株的成活率达到90％以上，这表明通过组织培养，建立无性快速繁殖体系，提高繁殖系数，能达到短裙内获得大量霍山石斛培苗的目的。

主权项

一种霍山石斛的组织培养方法，其特征在于以带侧芽的霍山石斛茎段位母体，并经过下列步骤： A.将茎段经过水洗、75％的酒精浸泡1～2min、无菌水洗后，转移到无菌超净台上去除叶片及膜质叶鞘，再次经过0.1％HgCl₂加1滴吐温80消毒5～10min后，无菌水洗后无菌保存； B.将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖； C.将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25～28℃，光照强度2000lx，光照时间12～14h/d条件下培养； D.获得生长状况良好的培苗，将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。