[发明专利]一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗，制绒；(2)生长有源掺杂剂；(3)将硅片置于扩散炉中，降温至500~550℃；(4)待温度稳定后，通入N2和O2进行氧化；(5)以5~10℃/min的升温速度升温至850~870℃，待温度稳定后通入携磷源气体进行扩散；(6)保持上述温度，通入N2和O2进行恒温推进；(7)降温出舟；(8)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极多晶硅太阳电池。本发明开发了一种新的制备选择性发射极晶体硅太阳电池的方法，该方法的制备成本较低，制备时间较短，且可与现有标准电池工艺兼容，具有产业化前景。

主权项

一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 清洗，制绒；(2) 在硅片上生长有源掺杂剂；(3) 将硅片置于扩散炉中，以3~5℃/min的降温速度降温至500~550℃，通入N2，所述N2流量为10~30 slm；(4) 待温度稳定后，通入N2和O2进行氧化，氧化时间为30~60min；所述N2流量为5~15 slm，O2流量为4000~8000 sccm；(5) 以5~10℃/min的升温速度升温至850~870℃，待温度稳定后通入携磷源气体进行扩散；磷源气体的流量为500~1100 sccm，O2流量为400~900 sccm，N2流量为10~30slm，扩散时间为5~15min；(6) 保持上述步骤(5)的温度，通入N2和O2进行恒温推进，推进时间为10~20min；所述N2流量为10~30 slm，O2流量为400~900 sccm；(7) 降温出舟；(8) 清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极多晶硅太阳电池。