[发明专利]用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构有效
| 申请号： | 201310062297.X | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103152531A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 高静;杨玉红;徐江涛;姚素英;史再峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，有补偿管M14的栅极连接补偿信号，复位管M11的栅极连接复位信号，选通管M13的栅极连接选通信号，补偿管M14的源极、复位管M11的漏极和晶体管M12的漏极均连接电源VDD，补偿管M14的漏极、复位管M11的源极、晶体管M12的栅极和光电二极管PD的N极连在一起，晶体管M12的源极连接选通管M13的漏极，选通管M13的源极连接电流源I的输入端，电流源I的输出端接地，所述的光电二极管PD的P端接地。本发明的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，可以降低PD自身暗电流对图像质量的影响。同时，本发明的像素可以在总剂量辐照强度较大环境下正常工作，即使有源像素能够工作在强辐照的环境下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 辐射 cmos 图像传感器 有源 像素 结构 | ||
【主权项】：
一种用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，包括有光电二极管PD、复位管M11、晶体管M12和选通管M13，其特征在于，还设置有补偿管M14和电流源I，其中，所述的补偿管M14的栅极连接补偿信号，复位管M11的栅极连接复位信号，选通管M13的栅极连接选通信号，补偿管M14的源极、复位管M11的漏极和晶体管M12的漏极均连接电源VDD，补偿管M14的漏极、复位管M11的源极、晶体管M12的栅极和光电二极管PD的N极连在一起，晶体管M12的源极连接选通管M13的漏极，选通管M13的源极连接电流源I的输入端，电流源I的输出端接地，所述的光电二极管PD的P端接地。
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