[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310062538.0 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103295990B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 宇野哲史;土屋秀昭;横川慎二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体芯片SC包括电极焊盘PAD。Cu柱PIL形成在电极焊盘PAD上。另外，互连基板INT包括连接端子TER。连接端子TER含有Cu。例如，连接端子TER由Cu形成，并且被形成为例如焊盘形状。然而，连接端子TER可不被形成为焊盘形状。Cu柱PIL和连接端子TER通过焊料层SOL彼此连接。焊料层SOL含有Sn。Ni层NIL形成在Cu柱PIL或连接端子TER上。焊料层SOL的厚度的最小值L等于或小于20μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片；和互连基板，在所述互连基板上方，所述半导体芯片以倒装芯片被安装，其中，所述半导体芯片包括：电极焊盘，和Cu柱，所述Cu柱形成在所述电极焊盘上方，所述互连基板包括由含有Cu的金属形成的连接端子，所述Cu柱和所述连接端子通过含有Sn的焊料层彼此连接，Ni层形成在所述Cu柱与所述焊料层之间的界面和所述焊料层与所述连接端子之间的界面中的一个界面中，而不形成在另一个界面中，并且所述焊料层的最薄部分的厚度等于或小于20μm。
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