[发明专利]溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310062551.6 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103572227B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 辰巳宪之;小林隆一;上田孝史郎 申请(专利权)人: 株式会社SH铜业
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C22F1/08
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 金鲜英,刘强
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法。本发明的课题是在包含高熔点金属的膜上形成由纯铜形成的低电阻的溅射膜。一种溅射用铜靶材,其由纯度3N以上的无氧铜形成,溅射面中的(111)面的取向率为13%以上30%以下,溅射面中的(200)面的取向率为15%以上30%以下,平均晶粒粒径为0.07mm以上0.20mm以下。
搜索关键词: 溅射 用铜靶材 以及 制造 方法
【主权项】:
一种溅射用铜靶材,其特征在于,其由纯度3N以上的无氧铜形成,溅射面中的(111)面的取向率为19%以上30%以下,所述溅射面中的(200)面的取向率为15%以上27%以下,平均晶粒粒径为0.10mm以上0.20mm以下,其中,所述(111)面以及所述(200)面的取向率是:对于所述(111)面、所述(200)面、(220)面、以及(311)面,将通过X射线衍射而获得的各晶面的峰的测定强度分别除以JCPDS中记载的与所述各晶面对应的晶面的峰的相对强度,将所得到的值的合计值设为100%的情况下的比例。
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