[发明专利]一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法无效
| 申请号： | 201310062563.9 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103091976A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;魏芳;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 模板 关键 尺寸 均一 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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