[发明专利]用于产生半导体组件的方法有效
| 申请号： | 201310063584.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103286438A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | C.阿伦斯;A.科勒;G.莱克纳;A.莫德;M.施内冈斯;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于产生半导体组件的方法。公开了一种用于产生具有多晶半导体主体区段的半导体组件的方法的示例性实施例，其中在半导体主体的第一和第二表面之间在半导体组件部分中产生所述多晶半导体主体区段，其中按照聚焦到半导体主体的半导体组件部分中的位置上的方式将波长为至少1064nm的电磁辐射引入到半导体主体中，并且其中所述位置处的辐射的功率密度小于1×108W/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于产生半导体组件的方法，包括：‑ 提供单晶半导体主体，所述单晶半导体主体具有第一表面、位于与第一表面相对的第二表面、半导体主体的半导体组件部分以及与之相邻的半导体主体的分离区段；‑ 在半导体组件部分中第一和第二表面之间产生多晶半导体主体区段，其中按照聚焦到半导体主体的半导体组件部分中的位置上的方式向将波长为至少1064nm的电磁辐射引入到半导体主体中，并且其中所述位置处的辐射的功率密度小于1×108W/cm2；‑ 通过在分离区段中从第一表面远到第二表面切割单晶半导体主体来单分半导体组件。
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