[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部以及横跨鳍部顶部和侧壁的伪栅极；在所述伪栅极两侧的鳍部和半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅极的上表面齐平；刻蚀所述伪栅极，至鳍部顶部上剩余部分厚度的伪栅极，形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁上形成第一侧墙；以第一侧墙为掩模，通过各向异性刻蚀工艺继续刻蚀所述伪栅极，至暴露出半导体衬底，形成第二凹槽；对剩余的伪栅极进行处理，形成第二侧墙；在包括第二侧墙的第二凹槽内形成金属栅极。本发明所形成的鳍式场效应晶体管的阈值电压能够控制，所形成鳍式场效应晶体管的性能较佳。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部以及横跨鳍部顶部和侧壁的伪栅极；在所述伪栅极两侧的鳍部和半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅极的上表面齐平；刻蚀所述伪栅极，至鳍部顶部上剩余部分厚度的伪栅极，形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁上形成第一侧墙；以第一侧墙为掩模，通过各向异性刻蚀工艺继续刻蚀所述伪栅极，至暴露出半导体衬底，形成第二凹槽；对剩余的伪栅极进行氧化处理，形成第二侧墙；在包括第二侧墙的第二凹槽内形成金属栅极；在形成金属栅极之后，还包括：形成覆盖所述层间介质层、金属栅极和第一侧墙的掩膜层，所述掩膜层中形成有与金属栅极两侧层间介质层下方鳍部正对的掩膜图形；以所述掩膜层为掩模，沿掩膜图形刻蚀所述层间介质层，至暴露出所述鳍部，形成刻蚀图形；以所述掩膜层为掩模，对所述鳍部进行离子注入，形成源极和漏极。