[发明专利]可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310064505.X | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103288040A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 阿尔方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;沃尔夫冈·克莱因;马丁·乌策;斯特凡·巴泽恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法。根据本发明的实施方式，半导体装置包括基板、可移动电极和对电极。可移动电极或对电极包括第一区域和第二区域，其中该第一区域与第二区域隔离开，其中该第一区域被配置为被调谐，其中第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中该可移动电极和该对电极机械地连接至该基板。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 mems 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；可移动电极；以及对电极，其中，所述可移动电极或所述对电极包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域与所述第二区域隔离，其中，所述第一区域被配置为被调谐，其中，所述第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中，所述可移动电极和所述对电极机械地连接到所述基板。
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