[发明专利]具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，该方法为依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）、第一减反射层（5）、第二减反射层（6）、ＧａＩｎＰ电池（7）、第三减反射层（8）、第四减反射层（9）和第五减反射层（10）；在第三减反射层（8）上形成所述顶电极（11）；在Ｇｅ电池（2）的整个下形成底电极（1）。

主权项

一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，依次包括如下步骤：步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）；步骤二：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＡｓ电池（4）生长第一减反射层（5），此后在真空镀膜机中将第二减反射层（6）蒸镀到第一减反射层（5）的表面上；步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层（6）上生长ＧａＩｎＰ电池（7）；步骤四：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ电池（7）上生长第三减反射层（8），此后在真空镀膜机中，在第三减反射层（8）的表面上依次蒸镀第四减反射层（9）和第五减反射层（10）；步骤五：在第五减反射层（10）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层（9）和第五减反射层（10），直至露出第三减反射层（8）为止；步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层（8）的将要形成顶电极（11）的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极（11）；步骤七：在Ｇｅ电池（2）的整个下表面溅射金属银，以形成底电极（1）。